武山 眞弓 Takeyama Mayumi

学位・学歴・職歴

学位

博士(工学) シリコン集積回路におけるオーム性接触界面の高信頼化の研究 1997
担当科目・専門分野等
担当授業科目(学部)
オホーツク地域と環境 地球環境, オホーツク地域と環境 地域未来, エネルギー総合工学概論/短期履修, エネルギー工学実験I エネルギー総合, エネルギー総合工学I エネルギー総合, 先端材料物質総合工学I 先端材料物質, 固体電子工学 電気, 地球環境工学入門, LSI工学 電気
担当授業科目(大学院)
集積エレクトロニクス特論 電気, 高度機能性材料工学特論 生産基盤
専門分野
電子材料工学, 薄膜工学, 半導体プロセス工学
研究テーマ
オホーツク特産品のおいしさ見える化計画
研究内容キーワード
半導体, 金属, 薄膜, デバイス, 配線, 電極, 固相反応
所属学会
電子情報通信学会, 応用物理学会
著書
タイトル/出版社等
触媒CVD(Cat-CVD)の新展開 ーラジカルを用いる新プロセス技術ー
シーエムシー出版, 2008-10
触媒CVD(Cat-CVD)の新展開 ーラジカルを用いる新プロセス技術ー<<普及版>>
シーエムシー出版, 2013-11
学術論文等

学術論文

論文名/掲載誌名等   掲載年月
Thermal stability of ZrN barrier in W/ZrN/poly-Si gate electrode configuration
IEICE Trans. ELECTRON, E84-C, 5, 704
2001-05
High performance of thin nano-crystalline ZrN diffusion barriers in Cu/Si contact systems
Appl. Surf. Sci., 190, 1-4, 450
2002-06
Diffusion barrier properties of nano-crystalline TiZrN films in Cu/Si contact systems
Appl. Surf. Sci., 216, 181
2003-06
Thermal stability of W2N compound barrier in W/W2N/poly-Si gate electrode configuration
IEICE Trans. ELECTRON, E86-C, 11, 2332
2003-11
Spectroscopic ellipsometry of TaNx and VN films
Thin Solid Films, 455/456, 473
2004-07
Application of thin nanocrystalline VN film as a high-performance diffusion barrier between Cu and SiO2
J. Vac. Sci. Technol. B, B22, 5, 2542
2004-09
Formation of preferentially oriented Cu[111] layer on Nb[110] barrier on SiO2
Jpn. J. Appl. Phys., 43, 12B, L1565-L1568
2004-12
Diffusion-barrier properties of Ta1-xWx alloy films and silicidation-induced Cu penetration in Cu/Si contacts
J. Vac. Sci. Technol. B, B23, 1, 280
2005-03
Preferentially Oriented Cu[111] Layer Formed on Thin Nb Barrier on SiO2
Jpn. J. Appl. Phys., 45, 12, 9172
2006-12
Application of extremely thin ZrN film as diffusion barrier between Cu and SiOC
Jpn. J. Appl. Phys., 47, 1, 620-624
2008-01
ラジカルを用いた低温で安価な窒化物膜の作製とコーティングへの応用(招待論文)
化学工業社, 54, 8, 13
2009-08
Evolution of microstructures in nanocrystalline VN barrier leading to failure in Cu/VN/SiO2/Si systems
, 49, 5, 05FA05
2010-05
Reactively sputtered nanocrysatlline ZrN film as extremely thin diffusion barrier between Cu and SiO2
, 49, 5, 05FA06
2010-05
Atomic layer deposition of thin VNx fil from Tetrakis(Diethyl)AmidoVanadiun precursor
Jpn. J. Appl. Phys, 50, 5, 05EA06
2011-05
Barrier properties of thin ZrNx films prepared by radical-assisted surface reaction
Jpn. J. Appl. Phys., 50, 5, 05EA07
2011-05
Oxidation Characteristics of Thin Al-Mo Alloy Films with Various Compositions as Metal Capping Layer on Cu
Japanese Journal of Applied Physics, 51, 05EA06
2012-05
ナノ結晶組織を有する薄いHfNx膜のCuに対する拡散バリヤ特性
電子情報通信学会論文誌C, J97-C, 46
2014-01
Preparation of nanocrystalline HfNx films as a thin barrier for through-Si via interconnects in three-dimensional integration
Japanese Journal of Applied Physics, 53, 02BC05
2014-02
Characterization of TiHfN ternary alloy films as a barrier between Cu plug and Si
Japanese Journal of Applied Physics, 53, 02BC04
2014-02
Characterization of silicon nitride thin films deposited by reactive sputtering and plasma enhanced CVD at low temperatures
Jpn. J. Appl. Phys., 53, 05GE01
2014-05
Thermally stable ZrN/Zr3N4 bilayered barrier system for through-Si-via process
Jpn. J. Appl. Phys., 54, 5S, 05EE02
2015-05
TSVプロセスに適用可能な反応性スパッタ法を用いたSiNx膜の低温成膜
電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌), 135, 7, 728
2015-07
Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成
電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌), 135, 7, 723
2015-07
3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価
電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌), 135, 7, 733
2015-07
Room-teperature deposition of HfNx barrier by radical-assisted surface reaction for through-silicon-via in three-dimensional LSI
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 2S, 02BC21
2016-02
Barrier properties of ultrathin VN films of low reitivity and high density for Cu interconnects
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 2S, 02BC10
2016-02
Application of an Al-Nb alloy film to a metal capping layer on Cu
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 2S, 02BC22
2016-02
Preparation of ultrathin TiNx films by radical assisted low temperature deposition and their barrier properties against Cu diffusion
Vacuum, 126, 10
2016-04
Low-teperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics
Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4S, 04EC05
2016-04
Growth of <111>-oriented Cu layer on thin TaWN films
Japanese Journal of Applied Physics, 56, 07KC03
2017-07
Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties
Japanese Journal of Applied Physics, 57, 07MB01
2018-06
Cole-Cole Plotを用いたエゾシカ肉の評価
電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌), 138, 906
2018-07

国際会議発表論文

発表題名 発行年月
Atomic layer deposition of thin VNx film from TDEAV precursor
Advanced Metallization Conference 2010: 20th Asian Session, Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2010-10
Oxidation caracteristic of thin Al-Mo alloy films as a metal capping layer on Cu
Advanced Metallization Conference 2011: 21st Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2011-09
Preparation conditions of nano-crystalline ZrNx films by reactive sputtering
Advanced Metallinzation Conference 2012: 22nd Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2012-10
Characterization of TiHfN nitride composite films as a barrier between Cu plug and Si
4nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, 金沢
2013-06
Preparation of nanocrystalline HfNx films as a thin barrier for through Si via interconnects
The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, 金沢
2013-06
Characterization of SiNx film as insulating barrier applicable to TSV
Advanced Metallization Conference 2013 : Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, 東京
2013-10
Thermal stability of bi-layered ZrN/Zr3N4 barrier in Cu/Si contact system
Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session IWAPS Joint Conference, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2014-10
Oxidation characteristics of Al-Nb alloy film as capping layer on Cu
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, Niigata
2015-06
Thermally and structurally stable thin VN barrier for Cu interconnects
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, Niigata
2015-06
Barrier properties of HfNx thin films formed by radical-assisted surface reaction
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, Niigata
2015-06
Preparation of high performance SiNx films deposited by reactive sputtering and PECVD at low temperatures
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Sapporo
2015-09
The effect of the HfNx barrier thickness on the Cu grain orientation control
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physcis, Tsukuba
2016-09
Cu grain orientation control on thin TaWN ternary alloy barrier
Advanced Metallization Conference 2016, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2016-10
Barrier properties of TiHfN ternary alloy films against Cu diffusion in Cu/Si contact system
Advanced Metallization Conference 2016, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2016-10
Characterization of TiHfN ternary alloy films as a new barrier
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Sendai
2017-09
The choice of the diffusion barrier material in Al and Cu metallization
The 2nd International Workshop “Materials for Advanced Interconnects and Packaging” , North China University of Technology (NCUT,Beijing),Institute of Microelectronics of China Academy of Sciences (IME CAS, Beijing), China Agrochemical University (CAU,Beijing),Tianjin University (TU, Tianjin), Fudan University (FU, Shanghai)., Beijing
2017-10
Relation between TiN films with different texture and its barrier properties
Advanced Metallization Conference 2017 : Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2017-10
Mapping of Ni/SiNx/n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
2018-09

講演発表

発表題名 発表年月
ラジカル窒化法を用いた窒化物薄膜形成の有用性
Cat-CVD研究会, 岐阜
2013-07
室温堆積によるSiNx膜の特性評価
Cat-CVD研究会, 名古屋
2015-07
絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 弘前
2015-08
ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 弘前
2015-08
窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法
化学工学会, 札幌
2015-09
ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 長岡
2015-11
室温成膜したSiNx膜の特性評価
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 長岡
2015-11
低温作製された窒化物薄膜の特性
電子情報通信学会、応用物理学会, 東京
2016-01
ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価
電子情報通信学会、応用物理学会, 東京
2016-01
色素増感太陽電池に用いる低温TiO2膜の間接プラズマによる効果
電子情報通学会 北海道支部
2016-02
低温作製されたSiNx膜の安定性
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 松山
2016-07
低温SiNx膜における表面ラジカル処理の効果
Cat-CVD研究会, 北見
2016-07
ラジカル処理によって得られた薄いHfNx膜のバリヤ特性
Cat-CVD研究会, 北見
2016-07
TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 野々市
2016-11
電気インピーダンス法を用いたオホーツク産食肉の品質評価
電子情報通信学会 北海道支部
2017-03
エゾシカ肉の電気インピーダンス測定
電子情報通信学会, 名古屋
2017-03
オホーツク地域の食肉に関する電気的特性評価
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 北見市
2017-07
反応性スパッタ法によるTiNx膜の低温作製
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 北見市
2017-07
生体電気インピーダンス法によるエゾシカ肉の評価
電気学会, 高松市
2017-09
今さら聞けないLSI多層配線の拡散バリヤ材料の選び方
電子情報通信学会, 八王子市
2018-03
エゾシカ肉の鮮度評価
電子情報通信学会, 東京都
2018-03
アンケート分析によるエゾシカ肉の旨味評価と電気的測定評価との関連
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, 弘前
2018-08
エゾシカ肉の電気的特性評価
電気学会, 札幌
2018-09
低温プロセスによるTiNx膜の熱的安定性
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, 長岡
2018-11
電気特性を活かしたおいしさ評価の一例
2018 Microwave Workshops and Exhibition, Yokohama
2018-11
電気電子工学と第1次産業との関連
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, 調布市
2019-03
エゾシカ肉の電気特性とそのシミュレーション解析
電子情報通信学会, 東京
2019-03
科学研究費
研究課題・他 取得年月
広範な抵抗率可変機能を持つ新しい薄膜ナノ材料の開発と最先端集積回路への応用
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
新規な低温成膜法によるSiNx膜の作製と3次元ウェハ積層配線技術への応用
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
新規な低温成膜法によるSiNx膜の作製と3次元ウェハ積層配線技術への応用
新規な低温成膜法によるSiNx膜の作製と3次元ウェハ積層配線技術への応用
3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
極微細TSVのための界面層フリーな新規バリヤ材料の開発
最先端3次元デバイス及び3D-LSIに適用可能なCu配線における革新的配向制御
極微細TSVのための界面層フリーな新規バリヤ材料の開発
社会活動
2011~ 電子情報通信学会研究専門委員
2019.06~ 電子情報通信学会電子部品・材料研究会 委員長
2017.06~2019.05 電子情報通信学会電子部品・材料研究会 副委員長
2018.12~2019.12 Advanced Metallization Conference Vice Chair
2017.12~2018.12 Advanced Metallization Conference Program Comittee Member