武山 眞弓 Takeyama Mayumi
学位・学歴・職歴
学位
| 博士（工学） | シリコン集積回路におけるオーム性接触界面の高信頼化の研究 | 1997 |
担当科目・専門分野等
- 担当授業科目（学部）
- オホーツク地域と環境 地球環境, オホーツク地域と環境 地域未来, エネルギー総合工学概論 地球環境（2020年度以前入学）, エネルギー総合工学I ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, 電気エネルギー基礎 ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, エネルギー総合工学II ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, エネルギー工学実験II ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, 電子デバイス ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, 電気エネルギー応用 ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, エレクトロニクス基礎 ｴﾈﾙｷﾞｰ総合, 地球環境工学入門/短期履修, コース概論 地球環境
- 担当授業科目（大学院）
- 再生可能エネルギーI 機械電気, 再生可能エネルギーII 機械電気, 電気電子応用工学特論I 機械電気, 電気電子応用工学特論II 機械電気, 機械電気工学特別講義 機械電気, 機械電気工学特別講義 機械電気
- 専門分野
- 電子材料工学, 薄膜工学, 半導体プロセス工学, エゾシカのジビエ利活用, IoTと農業との融合
- 研究テーマ
- ３次元集積改組技術における配線技術, オホーツク特産品のおいしさ見える化計画
- 研究内容キーワード
- 半導体, 金属, 薄膜, デバイス, 配線, 電極, 固相反応
- 所属学会
- 電子情報通信学会, 応用物理学会, 電気学会
著書
| タイトル／出版社等 |
|---|
触媒CVD(Cat-CVD)の新展開
ーラジカルを用いる新プロセス技術ー
シーエムシー出版, 2008-10 |
触媒CVD(Cat-CVD)の新展開 ーラジカルを用いる新プロセス技術ー＜＜普及版＞＞
シーエムシー出版, 2013-11 |
学術論文等
学術論文
| 論文名／掲載誌名等 | 掲載年月 | ||
|---|---|---|---|
Thermal stability of ZrN barrier in W/ZrN/poly-Si gate electrode configuration
IEICE Trans. ELECTRON, E84-C, 5, 704
|
2001-05 | ||
High performance of thin nano-crystalline ZrN diffusion barriers in Cu/Si contact systems
Appl. Surf. Sci., 190, 1-4, 450
|
2002-06 | ||
Diffusion barrier properties of nano-crystalline TiZrN films in Cu/Si contact systems
Appl. Surf. Sci., 216, 181
|
2003-06 | ||
Thermal stability of W2N compound barrier in W/W2N/poly-Si gate electrode configuration
IEICE Trans. ELECTRON, E86-C, 11, 2332
|
2003-11 | ||
Spectroscopic ellipsometry of TaNx and VN films
Thin Solid Films, 455/456, 473
|
2004-07 | ||
Application of thin nanocrystalline VN film as a high-performance diffusion barrier between Cu and SiO2
J. Vac. Sci. Technol. B, B22, 5, 2542
|
2004-09 | ||
Formation of preferentially oriented Cu[111] layer on Nb[110] barrier on SiO2
Jpn. J. Appl. Phys., 43, 12B, L1565-L1568
|
2004-12 | ||
Diffusion-barrier properties of Ta1-xWx alloy films and silicidation-induced Cu penetration in Cu/Si contacts
J. Vac. Sci. Technol. B, B23, 1, 280
|
2005-03 | ||
Preferentially Oriented Cu[111] Layer Formed on Thin Nb Barrier on SiO2
Jpn. J. Appl. Phys., 45, 12, 9172
|
2006-12 | ||
Application of extremely thin ZrN film as diffusion barrier between Cu and SiOC
Jpn. J. Appl. Phys., 47, 1, 620-624
|
2008-01 | ||
ラジカルを用いた低温で安価な窒化物膜の作製とコーティングへの応用（招待論文）
化学工業社, 54, 8, 13
|
2009-08 | ||
Evolution of microstructures in nanocrystalline VN barrier leading to failure in Cu/VN/SiO2/Si systems
, 49, 5, 05FA05
|
2010-05 | ||
Reactively sputtered nanocrysatlline ZrN film as extremely thin diffusion barrier between Cu and SiO2
, 49, 5, 05FA06
|
2010-05 | ||
Atomic layer deposition of thin VNx fil from Tetrakis(Diethyl)AmidoVanadiun precursor
Jpn. J. Appl. Phys, 50, 5, 05EA06
|
2011-05 | ||
Barrier properties of thin ZrNx films prepared by radical-assisted surface reaction
Jpn. J. Appl. Phys., 50, 5, 05EA07
|
2011-05 | ||
Oxidation Characteristics of Thin Al-Mo Alloy Films with Various Compositions as Metal Capping Layer on Cu
Japanese Journal of Applied Physics, 51, 05EA06
|
2012-05 | ||
ナノ結晶組織を有する薄いHfNx膜のCuに対する拡散バリヤ特性
電子情報通信学会論文誌C, J97-C, 46
|
2014-01 | ||
Characterization of TiHfN ternary alloy films as a barrier between Cu plug and Si
Japanese Journal of Applied Physics, 53, 02BC04
|
2014-02 | ||
Preparation of nanocrystalline HfNx films as a thin barrier for through-Si via interconnects in three-dimensional integration
Japanese Journal of Applied Physics, 53, 02BC05
|
2014-02 | ||
Characterization of silicon nitride thin films deposited by reactive sputtering and plasma enhanced CVD at low temperatures
Jpn. J. Appl. Phys., 53, 05GE01
|
2014-05 | ||
Thermally stable ZrN/Zr3N4 bilayered barrier system for through-Si-via process
Jpn. J. Appl. Phys., 54, 5S, 05EE02
|
 |
2015-05 | |
TSVプロセスに適用可能な反応性スパッタ法を用いたSiNx膜の低温成膜
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌）, 135, 7, 728
|
|
2015-07 | |
Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌）, 135, 7, 723
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|
2015-07 | |
3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌）, 135, 7, 733
|
|
2015-07 | |
Room-teperature deposition of HfNx barrier by radical-assisted surface reaction for through-silicon-via in three-dimensional LSI
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 2S, 02BC21
|
|
2016-02 | |
Application of an Al-Nb alloy film to a metal capping layer on Cu
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 2S, 02BC22
|
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2016-02 | |
Barrier properties of ultrathin VN films of low reitivity and high density for Cu interconnects
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 2S, 02BC10
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2016-02 | |
Preparation of ultrathin TiNx films by radical assisted low temperature deposition and their barrier properties against Cu diffusion
Vacuum, 126, 10
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2016-04 | |
Low-teperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics
Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4S, 04EC05
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2016-04 | |
Growth of <111>-oriented Cu layer on thin TaWN films
Japanese Journal of Applied Physics, 56, 07KC03
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2017-07 | |
Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties
Japanese Journal of Applied Physics, 57, 07MB01
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2018-06 | |
Cole-Cole Plotを用いたエゾシカ肉の評価
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌）, 138, 906
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2018-07 | |
Characterization of TiN films sputter-deposited at low temperatures for Cu-through-silicon via
Japanese Journal of Applied Physics, 58, SBBC03
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2019-04 | |
Mapping of a Ni/SiNx/n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy
Japanese Journal of Applied Physics, 58, SBBC02
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2019-04 | |
Cu(111) preferential orientation on thin HfN film as a diffusion barrier
Japanese Journal of Applied Physics, 58, S7, SHHA01
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2019-07 | |
生体電気インピーダンス法によるエゾシカ肉の鮮度評価
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌）, 139, 7, 812
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2019-07 | |
XRD and EBSD analysis of Cu film on randomly oriented ZrNx film as the underlying materials
Japanese Journal of Applied Physics, 59, SLLD01-1
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2020-04 | |
エゾシカ肉のおいしさのリアルタイム計測
電子情報通信学会論文誌C, J103-C, 9, 387－394
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2020-09 | |
Structural analysis of TaWN ternary alloy film applicable to Cu orientation control
Japanese Journal of Applied Physics, SBBC04
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2021-03 | |
Al(111) orientation and thermal stability of the system using Al3Nb thin film
Jpn. J. Appl. Phys., 61, SC1088-1
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2022-05 | |
日本酒の保存方法に関する電気的特性評価
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門氏）, 142, 7, 735
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2022-07 | |
Room-temperature deposition of nitride barrier by radical-assisted surface reaction in LSI and/or 3D-LSI metallization
Jpn. J. Appl. Phys., 61, SJ0802-1
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2022-08 | |
工学的立場からの農業支援の一端
電子情報通信学会Ｃ, J106-C, 6, 242-248
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2023-06 | |
Fundamental evaluation of orientation and grain size of Cu film in Cu/TaWN/SiO2/Si system
Japanese Journal of Applied Physics, 62, SH8003
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2023-06 | ||
水耕栽培によるベンサミアナタバコの基礎的な栽培方法の検討
電子情報通信学会Ｃ
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2023-12 |
国際会議発表論文
| 発表題名 | 発行年月 |
|---|---|
Atomic layer deposition of thin VNx film from TDEAV precursor
Advanced Metallization Conference 2010: 20th Asian Session, Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2010-10 |
Oxidation caracteristic of thin Al-Mo alloy films as a metal capping layer on Cu
Advanced Metallization Conference 2011: 21st Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2011-09 |
Preparation conditions of nano-crystalline ZrNx films by reactive sputtering
Advanced Metallinzation Conference 2012: 22nd Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2012-10 |
Preparation of nanocrystalline HfNx films as a thin barrier for through Si via interconnects
The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, 金沢
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2013-06 |
Characterization of TiHfN nitride composite films as a barrier between Cu plug and Si
4nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, 金沢
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2013-06 |
Characterization of SiNx film as insulating barrier applicable to TSV
Advanced Metallization Conference 2013 : Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, 東京
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2013-10 |
Thermal stability of bi-layered ZrN/Zr3N4 barrier in Cu/Si contact system
Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session IWAPS Joint Conference, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2014-10 |
Oxidation characteristics of Al-Nb alloy film as capping layer on Cu
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, Niigata
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2015-06 |
Barrier properties of HfNx thin films formed by radical-assisted surface reaction
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, Niigata
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2015-06 |
Thermally and structurally stable thin VN barrier for Cu interconnects
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, The Japan Society of Applied Physics, Niigata
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2015-06 |
Preparation of high performance SiNx films deposited by reactive sputtering and PECVD at low temperatures
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Sapporo
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2015-09 |
The effect of the HfNx barrier thickness on the Cu grain orientation control
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physcis, Tsukuba
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2016-09 |
Barrier properties of TiHfN ternary alloy films against Cu diffusion in Cu/Si contact system
Advanced Metallization Conference 2016, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2016-10 |
Cu grain orientation control on thin TaWN ternary alloy barrier
Advanced Metallization Conference 2016, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2016-10 |
Characterization of TiHfN ternary alloy films as a new barrier
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Sendai
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2017-09 |
Relation between TiN films with different texture and its barrier properties
Advanced Metallization Conference 2017 : Asian Session, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2017-10 |
The choice of the diffusion barrier material in Al and Cu metallization
The 2nd International Workshop “Materials for
Advanced Interconnects and Packaging”
, North China University of Technology (NCUT,Beijing),Institute of Microelectronics of China Academy of Sciences (IME CAS, Beijing),
China Agrochemical University (CAU,Beijing),Tianjin University (TU, Tianjin),
Fudan University (FU, Shanghai)., Beijing
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2017-10 |
Mapping of Ni/SiNx/n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2018-09 |
Properties of barrierless Cu/ZrNx/Si structure deposited at room temperature
Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2019-09 |
Cu(111) orientation control on thin TaWN alloy barrier
Advanced Metallization Conference Plus 2019, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
|
2019-10 |
Formation of chemically inert interface between Al and Al3Nb thin films
Advanced Metallization Conference plus 2019, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
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2019-10 |
Cu(111) preferential orientation on ZrNx films
Advanced Metallization Conference plus 2019, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo
|
2019-10 |
Barrier properties of thin TaWN films in Cu(111)/TaWN/Si systems
International Conference on Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, all virtual
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2020-09 |
Preparation of reactively sputtered ZrO2 films at low temperatures
International Conferences on Solid State Devices and Materials, The Japan Society of Applied Physics, オンライン
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2020-09 |
講演発表
| 発表題名 | 発表年月 |
|---|---|
ラジカル窒化法を用いた窒化物薄膜形成の有用性
Cat-CVD研究会, 岐阜
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2013-07 |
室温堆積によるSiNx膜の特性評価
Cat-CVD研究会, 名古屋
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2015-07 |
ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 弘前
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2015-08 |
絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 弘前
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2015-08 |
窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法
化学工学会, 札幌
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2015-09 |
室温成膜したSiNx膜の特性評価
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 長岡
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2015-11 |
ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 長岡
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2015-11 |
低温作製された窒化物薄膜の特性
電子情報通信学会、応用物理学会, 東京
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2016-01 |
ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価
電子情報通信学会、応用物理学会, 東京
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2016-01 |
色素増感太陽電池に用いる低温TiO2膜の間接プラズマによる効果
電子情報通学会 北海道支部
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2016-02 |
低温作製されたSiNx膜の安定性
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 松山
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2016-07 |
低温SiNx膜における表面ラジカル処理の効果
Cat-CVD研究会, 北見
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2016-07 |
ラジカル処理によって得られた薄いHfNx膜のバリヤ特性
Cat-CVD研究会, 北見
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2016-07 |
TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 野々市
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2016-11 |
エゾシカ肉の電気インピーダンス測定
電子情報通信学会, 名古屋
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2017-03 |
電気インピーダンス法を用いたオホーツク産食肉の品質評価
電子情報通信学会 北海道支部
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2017-03 |
反応性スパッタ法によるTiNx膜の低温作製
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 北見市
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2017-07 |
オホーツク地域の食肉に関する電気的特性評価
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 北見市
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2017-07 |
生体電気インピーダンス法によるエゾシカ肉の評価
電気学会, 高松市
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2017-09 |
今さら聞けないLSI多層配線の拡散バリヤ材料の選び方
電子情報通信学会, 八王子市
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2018-03 |
エゾシカ肉の鮮度評価
電子情報通信学会, 東京都
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2018-03 |
アンケート分析によるエゾシカ肉の旨味評価と電気的測定評価との関連
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, 弘前
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2018-08 |
エゾシカ肉の電気的特性評価
電気学会, 札幌
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2018-09 |
電気特性を活かしたおいしさ評価の一例
2018 Microwave Workshops and Exhibition, Yokohama
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2018-11 |
低温プロセスによるTiNx膜の熱的安定性
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, 長岡
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2018-11 |
エゾシカ肉の電気特性とそのシミュレーション解析
電子情報通信学会, 東京
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2019-03 |
電気電子工学と第1次産業との関連
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, 調布市
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2019-03 |
オホーツク農林水産工学連携研究推進センターと地域貢献との関連
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 北見
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2019-08 |
エゾシカ肉の電気的特性評価とそのおいしさの解析
電子情報通信学会電子部品・材料研究会, 北見
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2019-08 |
おいしさをリアルタイムで計測するーエゾシカ肉を用いた例ー
日本食品科学工学会, 札幌
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2019-08 |
エゾシカ肉のリアルタイム計測と美味しさ評価
電子情報通信学会, 大阪
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2019-09 |
導入しやすいスマート農業～メロンの育成を通して～
電子情報通信学会北海道支部, 北海道
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2020-02 |
電気インピーダンス法を用いたエゾシカ肉の生体測定
北見工業大学農林水産工学連携研究推進センター第２回シンポジウム, 北見
|
2020-02 |
新規熟成法によるエゾ鹿肉のおいしさ測定
電子情報通信学会北海道支部, 北海道
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2020-02 |
Raspberry Piを用いたスマート農業支援
電子情報通信学会, 広島
|
2020-03 |
反応性スパッタ堆積された高抵抗相ZrNx膜の特性
電子情報通信学会ソサイエティ大会, オンライン
|
2020-09 |
Cu(111)高配向制御が可能な 極薄TaWNバリヤの構造解析
応用物理学会, オンライン
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2020-09 |
IoTを活用したセンシングシステムによるメロンの水耕栽培
電子情報通信学会ソサイエティ大会, オンライン
|
2020-09 |
Cu(111)配向制御のための極薄バリヤの構造評価
電子情報通信学会ソサイエティ大会, オンライン
|
2020-09 |
極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, オンライン
|
2020-10 |
美味しいエゾシカ肉を得るための熟成方法の検討
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, オンライン
|
2020-10 |
抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, オンライン
|
2020-10 |
水耕栽培に適用可能な自作簡易自動液肥供給機の作製
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, オンライン
|
2020-10 |
生体電気インピーダンス法を用いた日本酒の評価方法の基礎的検討
電子情報通信学会 電子部品材料研究会, オンライン
|
2020-11 |
水耕栽培によるメロンの生育と環境温度との関係性
電気・情報関係学会北海道支部連合大会, オンライン
|
2020-11 |
BIA法を用いたエゾシカ肉の部位特定に関する研究
電気・情報関係学会北海道支部連合大会, オンライン
|
2020-11 |
ZrO2膜をベースとした素子の電気的特性
電気・情報関係学会北海道支部連合大会, オンライン
|
2020-11 |
集積回路の研究からエゾシカジビエのおいしさ 可視化に至る
実装フェスタ, オンライン
|
2021-01 |
AI と ICT を活用した害獣監視システムの開発
IEICE北海道支部学生会インターネットシンポジウム, オンライン
|
2021-03 |
多品目少量栽培に向けた液肥供給機の開発
IEICE北海道支部学生会インターネットシンポジウム, オンライン
|
2021-03 |
新たな分析法を用いた日本酒のおいしさ評価に関する研究
IEICE北海道支部学生会インターネットシンポジウム, オンライン
|
2021-03 |
薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
電子情報通信学会 電子部品材料研究会, オンライン
|
2021-03 |
Raspberry Piを用いた圃場の害獣対策の検討
電子情報通信学会 電子部品材料研究会, オンライン
|
2021-03 |
日本酒の電気的特性を用いたおいしさ評価の検討
電子情報通信学会 総合大会, オンライン
|
2021-03 |
反応性スパッタリング法による CuOx膜の作製
IEICE北海道支部学生会インターネットシンポジウム, オンライン
|
2021-03 |
Low temperature deposition of extremely thin barrier for metallization technology
2021 MRS spring meeting, オンライン
|
2021-04 |
室温成膜されたZrO2膜の特性評価
電子情報通信学会, 東広島市
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2024-03 |
科学研究費
| 研究課題・他 | 取得年月 |
|---|---|
広範な抵抗率可変機能を持つ新しい薄膜ナノ材料の開発と最先端集積回路への応用
|
|
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
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|
新規な低温成膜法によるＳｉＮｘ膜の作製と３次元ウェハ積層配線技術への応用
|
|
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
|
|
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討
|
|
新規な低温成膜法によるＳｉＮｘ膜の作製と３次元ウェハ積層配線技術への応用
|
|
新規な低温成膜法によるＳｉＮｘ膜の作製と３次元ウェハ積層配線技術への応用
|
|
3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
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3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
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3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
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|
極微細TSVのための界面層フリーな新規バリヤ材料の開発
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最先端3次元デバイス及び3D-LSIに適用可能なCu配線における革新的配向制御
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|
極微細TSVのための界面層フリーな新規バリヤ材料の開発
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極薄バリヤの構造解析における革新的解明とCu配線の配向制御
|
受賞
| 2019 | ADMETA Poster Award 2019 |
社会活動
| 2011～ | 電子情報通信学会研究専門委員 |
| 2019．06～ | 電子情報通信学会電子部品・材料研究会 委員長 |
| 2017.06～2019.05 | 電子情報通信学会電子部品・材料研究会 副委員長 |
| 2018.12～ | Advanced Metallization Conference Vice Chair |
| 2017.12～2018.12 | Advanced Metallization Conference Program Comittee Member |
| 2018.04~2020.03 | 日本学術振興会薄膜131委員会委員 |
| 2017.10~2019.10 | Solid State Devices and Mateirals (SSDM) Area 3 Chair |
| 2019.11~ | Solid State Devices and Mateirals (SSDM) Area 3 Vice Chair |